Процессы с применением однокомпонентного литья

3D-фотолитография

Схема процесса 3D-фотолитографии показана на Рис. 3.

Вся поверхность заготовки, литой из термопласта, активируется, и производится химическое осаждение меди на нее. Затем наносится, экспонируется через 3D-фотошаблон и проявляется фоторезист. После этого проводится гальваническое осаждение меди. На следующем этапе наносится металлорезист (Sn), после чего удаляется фоторезист. Затем производится травление меди и нанесение финишного покрытия.

Рис. 3 Схема процесса 3D-фотолитографии

Субтрактивное лазерное структурирование

Первые три операции в данном процессе такие же, как и в предыдущем, но после химического осаждения меди производится гальваническое осаждение меди (Рис. 11). На следующей операции происходит гальваническое осаждение металлорезиста. После этого области металлорезиста, под которыми не должно быть проводящего рисунка, удаляются лазером. Затем выполняется травление меди и нанесение финишного покрытия.

Аддитивное лазерное структурирование

Отличительная особенность применяемых в данной технологии термопластов состоит в том, что в их состав входит активируемый лазером металлоорганический комплекс. Участки отливки, на которых должен быть образован проводящий рисунок, обрабатываются лазером, и при этом происходит разрушение связей между атомами металла и другими атомами комплекса. Соответственно, при химической металлизации медь осаждается только на участки поверхности, активированные лазером.

Следует отметить, что при лазерной активации термопласта происходит также испарение материала с образованием микроскопических углублений в поверхности, обеспечивающих высокую адгезию осаждаемого металла.

Рис. 4 Схема процесса субтрактивного лазерного структурирования

Рис. 5 Схема процесса аддитивного лазерного структурирования

а) б)

Рис.6 Иллюстрация возможностей технологии аддитивного лазерного структурирования: а) ширина проводников/зазоров 75 мкм, б) микрошлиф сквозного металлизированного отверстия

Статья в тему

Схемотехническое моделирование усилителя низких частот
  В настоящее время весьма актуальной задачей является техническое перевооружение, быстрейшее создание и повсеместное внедрение принципиально новой радиоэлектронной техники. Интегральные микросхемы в настоящее время являются одним из самых массовых изделий современной микроэлектроники. Прим ...