Global Informatics
Для выбора резисторов нужно выбирать по типу, допуску номинала, мощности.
Тип С2-23 - постоянные непроволочные общего применения неизолированные резисторы (аналог ОМЛТ) предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока.
С2-33 - резисторы постоянные непроволочные общего применения всеклиматического неизолированного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного токов и в импульсном режиме.
Высчитывается мощность для каждого резистора:
РR1=U21/R1= (8,4)2/6200=0,0113 Вт
РR2=U22/R2=32/2700=0,0033 Вт
РRЭ=U2Э/RЭ=(2,8)2/2200=0,00356 Вт
РRК=U2К/RК=(3,6)2/3600=0,0036 Вт.
Поскольку мощность резисторов мала, я выбрал для всех резисторов одинаковую мощность 0,125 Вт с запасом.
R1-С2-23-0,125-6,2 КОм±5%-С2-33-0,125-2,7 КОм±5%Э-С2-33-0,125-2,2 КОм±5%К- С2-33-0,125-3,6 КОм±5%.
Для выбора конденсаторов нужно выбирать по типу, допуску номинала, напряжению.
Конденсатор электролитический алюминиевый К50-35 из серии CD110 - предназначен для использования в бытовой технике.
Конденсатор К53-1 - электролитический оксидно-полупроводниковый танталовый герметизированный полярный. Применяется в цепях постоянного и пульсирующего токов.
Все конденсаторы рассчитаны на определённое напряжение. Я выбрал конденсаторы больше напряжения питания.
Сэ-К50-35-22 мкФ-15В
Сб-К53-1-68 мкФ-15В
Ск-К53-1-68 мкФ-15В.
Заключение
В данной работе был произведён расчёт параметров усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером при максимальном использовании параметров транзистора и проведена проверка этих параметров с помощью компьютерного моделирования усилительного каскада в программе Circuit. В ходе моделирования была произведена проверка режима по постоянному току. Таким образом, удалось как можно более подробно изучить не только теоретически, но и увидеть экспериментально работу усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме с ОЭ.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...