Паразитные связи в гибридных микросхемах

В микросхемах расстояния между отдельными элементами намного меньше, чем в узлах РЭА, а сами элементы размещены на подложке, проводимость и диэлектрическая проницаемость которой много больше соответствующих параметров воздуха. Поэтому связи между элементами гибридных микросхем, в том числе паразитные, мешающие их нормальному функционированию, становятся очень сильными. Паразитные связи в виде отдельных проводимостей или паразитных элементов необходимо учитывать при синтезе электрической принципиальной схемы, а также при оптимизации конструкции гибридной микросхемы.

Все виды связей и взаимосвязей можно классифицировать следующим образом.

) связи электромагнитной природы, которые, в свою очередь, подразделяются на гальванические, емкостные и индуктивные. Эквивалентные проводимости, отражающие указанные типы связей, являются пассивными;

) связи, обусловленные тепловыми процессами, включающие связи, возникающие за счет термоэлектрических эффектов, изменения проводимости при изменении температуры, тепловой инжекции носителей;

) связи, обусловленные магнитоэлектрическими эффектами. Элементы гибридной микросхемы могут быть связаны друг с другом одним из указанных видов связей или их совокупностью. При расчетах такие связи удобно представлять в виде проводимости yij, которая в общем случае является комплексной и определяется конструкцией гибридной микросхемы, режимом ее работы, используемыми физическими явлениями и эффектами, параметрами исходных материалов.

Статья в тему

Виды и компенсирующие методы дисперсии в ВОСП
модовый диспенсия оптический фильтр Ожидается, что новые технологии компенсации дисперсии удовлетворят тем жестким требованиям, которые предъявляют волоконно-оптические системы передачи с большой пропускной способностью Первое поколение методов компенсации дисперсии по-прежнему воз ...