Расчет пленочного конденсатора
Исходные данные: С=3000пФ;
U=28В;
f=1000Гц.
Допуски на линейные размеры, определяемые технологией изготовления равны:
∆L=∆B=0,005 см
∆lc=±0,01 см
Для получения диэлектрической пленки из таблицы выбираем материал. Из этой же таблицы находим, что С0=5000 пФ/см2, Епр=2*106 В/см.
Из соотношения определяем площадь верхней обкладки:
S=
; S=
=0,6 см2;
Предполагая, что конфигурация конденсатора является квадратной, определяем размеры его верхней обкладки:
L2=B2=
; L2=B2=
=0,77 см;
Вычисляем размеры нижней обкладки конденсатора L1=B1;
L1≥L2+2 (∆L+lc); L1≥0,77+2 (0,005+0,01)=0,8 см;
В1≥В2+2 (∆В+∆lc); В1≥0,77+2 (0,005+0,01)=0,8 см;
Полученное значение округляем до целого и выбираем Lд=Вд:
Lд=Вд=1 см;
Определяем площадь, занимаемую пленочным конденсатором на подложке:
S= Lд*Вд; S=1*1=1 см;
Пользуясь соотношением определяем толщину диэлектрической пленки:
d≥
; d≥
=28*10-6;
Заключение
Для современного этапа развития интегральной электроники характерны тенденции дальнейшего повышения рабочих частот и уменьшения времени переключения, увеличения надежности, снижения затрат на материалы и процесс изготовления ИС.
Снижение стоимости ИС требует разработки качественно новых принципов их изготовления с использованием процессов, в основе которых лежат близкие по характеру физико-химические явления, что, с одной стороны, является предпосылкой для последующей интеграции однородных технологических операций производственного цикла и, с другой стороны, открывает принципиальные возможности управления всеми операциями от ЭВМ.
Необходимость качественных изменений в технологии и технического перевооружения отрасли диктуется также переходом к следующему этапу развития микроэлектроники - функциональной электронике, в основе которой лежат оптические, магнитные, поверхностные и плазменные явления, фазовые переходы, электронно-фононные взаимодействия, эффекты накопления и переноса заряда и др.
Критерием «прогрессивности» технологического процесса наряду с улучшением параметров и характеристик самого изделия является высокая экономическая эффективность, определяемая рядом частных, взаимосвязанных критериев, обеспечивающих возможность построения комплектов полностью автоматизированного высокопроизводительного оборудования с длительным сроком эксплуатации.
Наиболее важными частными. критериями являются: универсальность, т.е. возможность проведения всего (или подавляющего числа операций) производственного цикла с помощью одних и тех же технологических приемов; непрерывность, являющаяся предпосылкой для последующей интеграции (объединения) целого ряда технологических операций производственного цикла, сочетаемая с возможностью использования одновременной групповой обработки значительного количества изделий или полуфабрикатов; высокая скорость - проведения всех основных операций технологического процесса или же возможность их интенсификации, например, в результате воздействия электрических и магнитных полей, лазерного излучения и др.; воспроизводимость параметров на каждой операции и высокий процент выхода как полуфабрикатов, так и годных изделий; технологичность конструкции изделия или полуфабриката, соответствующая требованиям автоматизированного производства (возможности автоматизированной загрузки, базирования, монтажа, сборки и др.), что должно найти свое отражение в простоте формы, а также ограниченности допусков на габаритные и базовые размеры; формализация, т.е. возможность составления (на основе аналитических зависимостей параметров изделия от параметров технологического процесса) математического описания (алгоритма) каждой технологической операции и последующего управления всем технологическим процессом с помощью ЭВМ; адаптивность (жизненность) процесса, т.е. способность длительного существования в условиях непрерывного появления и развития новых конкурентоспособных процессов и возможность быстрого перестраивания оборудования под изготовление новых видов изделий без существенных капитальных затрат.Большинству из перечисленных критериев удовлетворяют процессы, использующие электронные и ионные явления, происходящие в вакууме и разреженных газах, с помощью которых можно производить: ионное распыление металлов, сплавов, диэлектриков и полупроводников с целью получения пленок различной толщины и состава, межсоединений, емкостных структур, межслойной изоляции, межслойной разводки; ионное травление металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков с целью удаления отдельных локализованных участков при получении конфигурации ИС; плазменное анодирование с целью получения окисных пленок; полимеризацию органических пленок в местах, облученных электронами, с целью получения органических изоляционных слоев; очистку и полировку поверхности подложек; выращивание монокристаллов; испарение материалов (в том числе тугоплавких) и перекристаллизацию пленок; микрофрезерование пленок; микросварку и микропайку с целью подсоединения - выводов ИС, а также герметизацию корпусов; бесконтактные методы контроля параметров ИС.
Статья в тему
Беспроводные мобильные сети
Мобильные устройства принято классифицировать по поколениям (G - generation), к которому они принадлежат. Наименование началось с появления телефонов поколения 1G, которые часто называют "кирпичами”. Они действительно были первыми телефонами, появившимися на рынке. Далее последовало второ ...