Global Informatics
Рассмотрим для первого корректирующего звена с передаточной функцией
.
Числовые значения коэффициента передачи и постоянных времени звена должны быть
,
,
.
Задаемся значением входного сопротивления цепочки 10 кОм.
Аналогично, определяем числовое значение емкости конденсатора C1, мкФ
.
Определяем значение сопротивления :
,
Откуда
В результате расчетов значения элементов корректирующей цепочки будут: ,
,
.5.5 Определяем коэффициент передачи корректирующего звена
.
Так как фактический коэффициент передачи полученного звена не совпадает с требуемым значением
, то коэффициент передачи прямого тракта контура умножается на соответствующее значение
, определяемое из условия
, откуда
Рассмотрим для второго корректирующего звена с передаточной функцией:
Числовые значения коэффициента передачи и постоянных времени звена должны быть
,
,
.
Задаемся значением входного сопротивления цепочки 10 кОм.
Аналогично, определяем числовое значение емкости конденсатора C1, мкФ:
.
Определяем значение сопротивления :
,
откуда
.
В результате расчетов значения элементов корректирующей цепочки будут:
,
,
.
Определяем коэффициент передачи корректирующего звена
.
Так как фактический коэффициент передачи полученного звена не совпадает с требуемым значением
, то коэффициент передачи прямого тракта контура умножается на соответствующее значение
, определяемое из условия
,
Откуда
3. Рассмотрим для третьего корректирующего звена с передаточной функцией:
Числовые значения коэффициента передачи и постоянных времени звена должны быть
,
,
.
Задаемся значением входного сопротивления цепочки 10 кОм.
Аналогично, определяем числовое значение емкости конденсатора C1, мкФ
.
Определяем значение сопротивления :
,
Откуда
.
В результате расчетов значения элементов корректирующей цепочки будут:
Статья в тему
Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства.
Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...