Расчет погрешности от влияния разброса компонентов

Чтобы учесть при моделировании допускаемое отклонение сопротивления ТПС (класса допуска A) от своего номинального значения при 0 0С, расчет погрешности от влияния разброса компонентов будем производить при минимальной температуре ТПС (Rt1=Rt2=79.113 Ом). Зададим для Rt1 и Rt2 модель резистора "RTEMP" без ТКС, но с разбросом масштабного множителя сопротивления (R), равным 0.05%

MODEL RTEMP RES (R=1 LOT=0.05%)

Разброс пассивных компонентов схемы ИП задавался для моделей резисторов и конденсаторов в соответствии с их процентным допуском при помощи ключевого слова LOT.

Для исследуемой схемы были получены следующие результаты (в момент времени 2.5 с от подачи входных сигналов) (рис. 39):

Iout_1 = 0.0079 мА

Iout_2 = 0.0100 мА

Iout_3 = -0.0177 мА

Iout_4 = -0.0137 мА

Iout_5 = -0.0038 мА

Iout_6 = 0.0132 мА

Iout_7 = 0.0008 мА

Iout_8 = 0.0094 мА

Iout_9 = 0.0178 мА

Iout_10 = 0.0097 мА

Рис. 39. Выходные сигналы при разбросе пассивных элементов схемы

Соответствующие приведенные погрешности составят:

(8.1)

(8.2)

(8.3)

(8.4)

(8.5)

(8.6)

(8.7)

(8.8)

(8.9)

(8.10)

Проведенная серия экспериментов показывает, что ни в одном случаев из 10 вариаций номиналов пассивных компонентов схемы ИП основная погрешность преобразования не превысила допустимый предел (γдоп=0.5%). Таким образом, можно сделать вывод, что измерительный преобразователь соответствует заданному классу точности 0.5.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...