Расчет ИП на влияние температуры (расчет дополнительной погрешности ИП от влияния температуры окружающей среды)

Дополнительная погрешность от влияния температуры на каждые 10 0С рабочего диапазона ИП (0 60 0С) примерно в два раза превышает 0.5 предела допускаемой основной погрешности (0.25%). Это обусловлено тем, что мы моделировали ИП на наихудший случай его работы. Для этого мы задавали соответствующим образом ТКС резисторов. В реальности же все намного лучше. Вероятность того, что ТКС резисторов будут в реальной схеме таковы, что погрешность превысит допустимую, очень мала. Учитывая этот факт, мы можем с достаточной уверенностью сказать, что этот проект может быть реализован на практике и быть использован по назначению.

Благодаря использованию четырехпроводной схемы измерения температуры в данной схеме отсутствует методическая погрешность от влияния сопротивлений связи r и их разброса Δr, что является достоинством данного измерительного преобразователя. Еще одним достоинством является возможность настройки схемы с помощью резисторов R18* и R20*, что позволяет получить наименьшую погрешность измерительного преобразователя.

Таким образом, спроектированный измерительный преобразователь обеспечивает все заданные метрологические характеристики.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...