Определение элементной базы электронного устройства

Резистор металлодиэлектрический неизолированный;

Ряд Е192;

Максимальная температура: -60…+85 0С;

Диапазон номинального сопротивления, Ом: 10…1*106;

Номинальная мощность, Вт: 0,125;

Предельное напряжение, В: +0,1;+0,25;

Тип корпуса: С2-14.

С2-6 - резисторы R7, R13, R15, R23- R29:

Резистор металлодиэлектрический неизолированный;

Ряд Е192;

Максимальная температура: -60…+250 0С;

Диапазон номинального сопротивления, Ом: 100…1*106;

Номинальная мощность, Вт: 0,125;

Предельное напряжение, В: +5;+10;

Тип корпуса: С2-6.

ПКн 105 М-1…4 - переключатель кнопочный:

Коммутируемое напряжение, В: 1*104…36;

Ток, А: 1*10-6…4;

Максимальная коммутируемая мощность, Вт (ВА): 70;

Количество коммутационных циклов: 20000;

Тип корпуса: ПКн 105Н.

К155ЛА7 - микросхема DD1.1-DD1.2:

Номинальное напряжение питания: 5В+5%;

Входной ток низкого уровня: <0,4мА;

Входной ток высокого уровня: <0,04мА;

Входной пробивной ток: <1 мА;

Выходной ток высокого уровня: <0,04 мА;

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения: <22 мА;

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения: <8 мА;

Потребляемая статическая мощность: <39,4 мВт;

Время задержки распространения при включении: <18нс;

Время задержки распространения при выключении: <60нс;

Тип корпуса: К155ЛА7.

TL494 - микросхема DD2:

Рабочая температура: -55…+1250С;

Температура хранения: -65…+1500С;

Напряжения на выводе: -0,5…Vcc + 0,5В;

Напряжение на выводе RESET относительно вывода GND: -0,5…+13В;

Напряжение питания: 6В;

Максимальный ток линии ввода/вывода: 60мА;

Максимальный ток выводов VCC и GND: 100мА;

Тип корпуса:Dip-8.

АТ90S8535 - микросхема DD3:

Рабочая температура: -55…+1250С;

Температура хранения: -65…+1500С;

Напряжения на выводе: -0,5…Vcc + 0,5В;

Напряжение на выводе RESET относительно вывода GND: -0,5…+13В;

Напряжение питания: 6В;

Максимальный ток линии ввода/вывода: 40мА;

Максимальный ток выводов VCC и GND: 200мА;

Тип корпуса:TQFP-44.

DV-16244 - микросхема DD4:

Доминантная длина волны: 635пм;

Напряжение питания: 2В;

Максимальный ток: 20мА;

Интенсивность свечения сегмента:9…12 мсд;

Мощность: 4мВт;

Тип корпуса:.

Статья в тему

Защита информации в телекоммуникационных системах
телекоммуникационный защита информация шифрование Целью данной курсовой работы является ознакомление студента с математической основой построения систем защиты информации в телекоммуникационных системах - методами криптографии. Эта курсовая работа направлена на формирование у студента систематизиро ...