Анодирование или анодное оксидирование

Заключается в создании на поверхности пленки слоя окисла того же металла путем электрохимической реакции. Обрабатываемую пленку соединяют с положительным полюсом источника питания, а дополнительный электрод-катод с отрицательным. Схема процесса приведена не рис. 4.

В качестве электролита служат растворы кислородосодержащих кислот, а также высоковязкие эластичные электролиты на основе желатина и глицерина.

Толщина окисной пленки будет пропорциональна прилагаемому напряжению:

Δd=kU (1.2)

где k - коэффициент пропорциональности.

При комнатной температуре для титана составляет около 22 А/В для тантала - 16 А/В.

В результате анодирования верхний слой резистивной пленки превращается в окисел, толщина ее уменьшается, и сопротивление ТПР возрастает.

При анодировании происходит не только подгонка ТПР, но и их защита стеклообразным практически беспористым слоем окисла, который характеризуется высокой стойкостью к климатическим и тепловым воздействиям, истиранию.

Процесс подгонки может осуществляться или по всей поверхности резистора или по его локальным участкам (рис. 1.2).Наиболее часто для подгонки ТПР применяют локальное анодирование. Он позволяет проводить подгонку даже в полностью собранной интегральной схеме перед ее герметизацией, с помощью зонда, на острие которого наносят пастообразную каплю электролита. Точность подгонки ТПР на основе вентильных металлов (Ti, Та, Nb, V, Аl) может достигать 0,005%.

Статья в тему

Оценка конструкторских и технологических параметров системы многослойных металлических межсоединений при разработке БИС
Транзистор - одно из важнейших изобретений ХХ столетия, повлекшее за собой появление полупроводниковых приборов и микросхем. Эти устройства стали основой электронных систем и привели к проникновению электроники во все важнейшие для жизнедеятельности человека отрасли - энергетик ...