Отладочные работы при программировании микросхемы

В ходе первого тестирования выяснилось, что светодиод мигает с базовой частотой (3 Гц) и плата схема не реагировала на нажатие кнопок.

В цепь кнопки «UP» и кнопки «DOWN» пришлось добавить по инвертору (NOT), т.к. кнопки при нажатии формируют сигнал «0», а в не нажатом состоянии - «1». Это значит, что обе кнопки все время формировали сигнал «1», который поступал на входы «R» и «S» RS-триггера, что приводило к некорректной работе.

Также выяснилось, что была неправильно подключена задержка в цепь подавления дребезга контактов. Для получения задержки ~50мс при работе от тактового генератора 25,175 МГц, нужен счетчик разрядностью 20-21 бит. Был выбран счетчик разрядностью 20 бит, что должно было обеспечить задержку 41 мс. Однако, к тактовому входу счетчика был подключен сигнал не от тактового генератора 25,175 МГц, а от счетчика, задающего базовую частоту светодиода 3 Гц. Это обеспечило задержку величиной 96,11 часов.

На случай непредвиденных обстоятельств, к прошивке была подготовлена отладочная версия схемы с выводом 4-разрядного содержимого обоих счетчиков на светодиоды (рис. 9).

Рисунок 9. «Отладочный вариант схемы»

ВЫВОД

Была спроектирована схема, реализующая генератор прямоугольных импульсов с изменяемой частотой (меандр, изменение осуществляется с помощью двух кнопок: «больше», «меньше»), была проведена подготовка к прошивке, прошивка и отладка. В ходе выполнения лабораторных работ и курсовой работы были получены навыки проектирования цифровых схем в САПР Quartus II. Проектирование производилось как в виде блок-схем, так и в текстовом виде (на языке описания аппаратуры AHDL).

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...