Global Informatics
Сопротивление рассчитывается по формуле:
где
подвижность свободных носителей для кремния
удельная ёмкость подзатворного диэлектрика
толщина подзатворного диэлектрика
диэлектрическая проницаемость вакуума
диэлектрическая проницаемость SiO2
Для расчёта примем
отношение ширины канала к длине канала
разность между напряжением затвор-исток транзистора и пороговым напряжением
Статья в тему
Переход от ТФОП к сети NGN города Новокузнецка
Динамично
развивающийся рынок телекоммуникаций формирует новое социальное пространство и
новые стандарты жизни. Каждый шаг вперед, каждая ступень вверх требуют все
более сложных, высокотехнологичных, инновационных и масштабных решений.
В
последние годы во взаимоотношениях клиентов ...