Global Informatics
где - число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем .
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент , а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Усилитель импульсный
В настоящее время наблюдается стремительный рост приборов, работающих не с аналоговыми сигналами, а именно с импульсными. Преобладающее применение импульсных устройств обусловлено их высоким КПД, более высокой точностью, меньшей критичностью к изменению температуры, большей помехоустойчивостью. В св ...