Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Переход от ТФОП к сети NGN города Новокузнецка
Динамично
развивающийся рынок телекоммуникаций формирует новое социальное пространство и
новые стандарты жизни. Каждый шаг вперед, каждая ступень вверх требуют все
более сложных, высокотехнологичных, инновационных и масштабных решений.
В
последние годы во взаимоотношениях клиентов ...