Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Система автоматического управления поворотом устройства перемещения робота
Данная система автоматического управления предназначена для
управления поворотом устройства перемещения робота.
Ниже приведена функциональная схема разрабатываемой САУ (рис. 1).
МП - микропроцессор; У - усилитель; ЭМКЛ - электромагнитный
клапан; ГЦ - гидроцилиндр; Р - ред ...