Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Система централизованного контроля температуры
Система
централизованного контроля температуры (СЦКТ) предназначена для измерения
температуры объекта и получении информации о выходе температуры разных точек
объекта за границы уставок.
Система
централизованного контроля (СЦК) позволяет собирать и обрабатывать большое
количество ...