Global Informatics
где - число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем .
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент , а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
3D-MID области применения и технологии производства
В 80-х годах прошлого века 3D литые монтажные основания (3D molded
interconnect devices, 3D-MID) были провозглашены прорывом в электронике, даже
высказывались ожидания, что они заменят печатные платы. Но тогда прорыва не
произошло, что во многом объяснялось несовершенством технологии ...