Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Трехзвенный Г-образный фильтр верхних частот
Рис. 1 Электрическая принципиальная схема
Задание: Расчет АЧХ, ФЧХ и переходной характеристики трехзвенного Г-образного
фильтра.
Варианты:
С [мкФ]
R [кОм]
Вариант
С [мкФ]
R [кОм]
1
...