Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Цикловая дискретная система автоматического управления
В течение длительного времени в различных отраслях производства
сосуществовали, почти не смешиваясь и не влияя друг на друга, два разнородных
вида производства.
Первый вид - это высокоавтоматизированное и высокоэффективное
массовое производство, которое базируется на высокопроизвод ...