Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
САПР устройств промышленной электроники
Измерению
температуры придается большое значение в различных отраслях промышленного
производства. Температура является наиболее массовым и, зачастую, решающим
параметром, характеризующим различные технологические процессы
металлургической, химической, энергетической и других видов пр ...