Global Informatics
где - число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем .
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент , а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Структурная схема автогенератора
усилитель транзистор ответвитель автогенератор
Основными характеристиками АГ являются: частота
генерируемых колебаний, выходная мощность, КПД, долговременная стабильность
частоты, уровень фазовых шумов выходного сигнала.
Основными отличиями СВЧ АГ от низкочастотных являются:
- при ...