Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Синтез компоновочной схемы манипулятора для лазерной резки
Современный этап развития различных технологических процессов
характеризуется широким привлечением средств вычислительной техники и
автоматики для создания высокопроизводительного автоматизированного
оборудования. С этих позиций лазерная резка является процессом, который может
быть р ...