Оценка числа слоев металлизации, в которых может быть реализована расчётная топология соединений

где - число слоев,

- эффективная площадь кристалла.

Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем .

Тогда

и

При этом:

Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент , а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем

что укладывается в заданные параметры.

Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.

Статья в тему

Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функци ...