Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление
пленочного резистора определяется па формуле
R=ρ0l/b=
ρ0Kф (1.1)
где
ρ0 - удельное
поверхностное сопротивление резистивной пленки;
l,
b - длина и ши ...