Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Целью данной работы является расчет и проектирование усилительного каскада на биполярном транзисторе со следующими заданными параметрами:
1. Диапазон рабочих частот 2. Допустимые частотные искажения 3. Сопротивление источника сигнала и нагрузки 4. Коэфф ...