Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Технология и техника изготовления бескорпусной интегральной микросборки
Эффективность производства и качество радиоэлектронной аппаратуры зависят
от научно-технического уровня ее технологии, которая должна обеспечивать
высокие параметры качества изделий. Технология интегральных микросхем и
микропроцессоров стала существенной частью современного промышленн ...