Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Оценка конструкторских и технологических параметров системы многослойных металлических межсоединений при разработке БИС
Транзистор
- одно из важнейших изобретений ХХ столетия, повлекшее за собой появление полупроводниковых
приборов и микросхем. Эти устройства стали основой электронных систем и привели
к проникновению электроники во все важнейшие для жизнедеятельности человека
отрасли - энергетик ...