Global Informatics
Таблица 4 - Основные параметры электролитических конденсаторов
|
Тип |
Пределы номинальной ёмкости, мкФ |
Допустимое отклонение ёмкости от номинальной, % |
Номинальное рабочее напряжение, В |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
К50-6 |
1…10000 |
от + 80 до - 20 |
6,0…160,0 |
|
К50-16 |
2…5000 |
от + 80 до - 20 |
6,3…160,0 |
|
К50-35 |
1…4700 |
от + 50 до - 20 |
4,0…100,0 |
|
К52-10 |
6,8…560 |
от + 80 до - 20 |
6,3…50,0 |
|
К50-3 |
1…5000 |
от + 50 до - 20 |
6,0…160,0 |
Выбираем тип электролитического конденсатора К50-6 , которые при соответствующих технических параметрах имеют меньшие габариты и стоимость.
Выбор биполярных транзисторов проводим среди транзисторов малой мощности, высокочастотных, учитывая коэффициент передачи, граничную частоту коэффициента передачи, максимального постоянного напряжения коллектор-эмиттер и максимального тока коллектора. Параметры сравниваемых транзисторов приведены в таблице 5.
Таблица 5 - Параметры транзисторов малой мощности высокочастотных
|
Тип транзистора |
Коэффициент передачи |
Максимальное допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В |
Максимальный ток коллектора, мА |
|
КТ315Б |
50…350 |
45 |
100 |
|
КТ315Г |
50…350 |
35 |
100 |
|
КТ361А |
20…90 |
25 |
50 |
|
КТ361Б |
50…350 |
20 |
50 |
|
КТ3102А |
100 .250 |
50 |
100 |
|
КТ3102Б |
250…500 |
50 |
100 |
В качестве транзистора VT1 схемы выбираем тип транзистора КТ315Б; VT2,VT3,VT4 - КТ361А, как обладающие наиболее приемлемыми значениями допустимого напряжения коллектор-эмиттер, необходимого коэффициента усиления и требуемого максимального тока коллектора из сравниваемых; кроме того, этот тип транзисторов наименее дорогостоящ.
Выбор цифровых интегральных схем производится, сравнивая основные параметры микросхем серий: К564, К155 и К555. Сравнительные основные параметры приведены в таблице 6.
Таблица 6 - Основные электрические параметры микросхем
|
Серия |
Напряжение питания, В |
Ток потребления, мА |
Время задержки, нс |
Интервал рабочих температур, 0С |
|
К155 |
5 |
22 |
15 |
-10…+70 |
|
К555 |
5 |
22 |
15 |
-10…+70 |
|
К564 |
9 .15 |
0,0003 |
250 |
-40…+70 |
Статья в тему
Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства.
Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...