Global Informatics
Выбираем схему преобразователя напряжение-ток представлена на рисунок 11.1 можно получить:
Рисунок 11.1- Схема преобразователя напряжение-ток
Запишем систему для выходного тока в зависимости от температуры:

Диапазон изменения выходного тока 0÷10мА и входное напряжение 4.28 В. Решая систему уравнений относительно R0 и Uвх1 можно получить:
Отсюда следует: R0=428 (Ом), Uвх1=0 (В).
Выбираем R0=428 (Ом): С2-33-0,125Вт-428Ом±0.1% -А
Ни один усилитель общего применения не в состоянии отдать в нагрузку ток больше чем 10мА. Поэтому необходимо выходной ток ОУ1 усиливать по току. Это можно сделать с помощью схемы приведенной на рисунке 11.2.
Рисунок 11.2- Схема преобразователя напряжение-ток
Выбираем R: С2-29В-0.062Вт-10кОм±0.1%-А
Выбираем r: С2-29В-0.062Вт-51Ом±0.1%-А
В качестве DA выбираем: LM324A характеристики приведены в таблице №11.1.
Таблице №11.1
|
Каналов,шт |
4 |
|
VOS (тип.),мВ |
3 |
|
IBIAS (тип.),нА |
100 |
|
Полоса пропускания (тип.),МГц |
01.мар |
|
Slew Rate (тип.),В/мкс |
0.4 |
|
CMRR (тип.),дБ |
80 |
|
Gain (тип.),дБ |
100 |
|
Shutdown |
Нет |
|
VCC,В |
от 3 до 30 |
|
ICC на канал (макс.),мА |
3 |
|
TA,°C |
от 0 до 70 |
|
Корпус |
PDIP 14 SOIC-14 TSSOP-14 |
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...