Global Informatics
Рассмотрим схему с триггером на туннельном диоде.
стабилизатор напряжение стабилитрон импульсный
Схема сравнения аналогична схеме в стабилизаторе с непрерывным регулированием.
Положим в момент tо напряжение на входе стабилизатора уменьшится до величины при которой срабатывает триггер. Ток коллектора ТУ скачком уменьшается до нуля.
Закрываются транзисторы Т3 и Т2 и транзисторы Т12 и Т11 открываются, а емкость Сзап заряжается через сопротивление RZ1. напряжение на входе фильтра скачком возрастает до Uвх. Диод VD2 закрывается. Ток дросселе и транзисторе Т11 начинает увеличиваться. Напряжение на выходе стабилизатора определяется некоторым временем перехода, пока ток в дросселе не сравняется с током нагрузки, а затем начинает расти. В момент t1 напряжение на базе Ту достигает такой величины, при которой вновь срабатывает триггер. Ток коллектора Т4 скачком достигает максимума. Транзисторы Т2 и Т3 открываются, подключая между базой и эмиттером транзисторов Т11 и Т12 емкость Сзап. Т11 и Т12 закрываются. Дроссель начинает разряжаться через VD2 на нагрузку, поэтому напряжение на входе стабилизаторы еще некоторое время увеличивается пока ток в дросселе больше тока нагрузки, а затем начинает уменьшатся. Приходим к первоначальному состоянию, когда открылся регулирующий транзистор, так процесс повторяется.
При изменение входного напряжения или тока нагрузки изменяется скважность импульсов тока регулирующих транзисторов, а среднее значение выходного напряжения остается неизменным.
Коэффициент затухания фильтра повышают, увеличив индуктивность дросселя при соответствующем уменьшении емкости (из условия постоянства резонанса частот). Однако это приводит к значительному увеличению габаритов дросселя.
Повышение частоты колебании без изменения параметров фильтра, порогов срабатывания триггера и коэффициента усиления усиление может быть достигнуто введением дополнительных ускоряющих элементов, которые значительно снижают амплитуду пульсации.
Подавление пульсации, которое особенно затруднено при большой выходной мощности более эффективно осуществляется в непрерывно - импульсных стабилизаторах.
Статья в тему
Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление
пленочного резистора определяется па формуле
R=ρ0l/b=
ρ0Kф (1.1)
где
ρ0 - удельное
поверхностное сопротивление резистивной пленки;
l,
b - длина и ши ...