Структурная схема проектируемого АГ

При построении транзисторных СВЧ автогенераторов используются схемы как с параллельной, так и с последовательной обратной связью (РисХа, б).

При этом в силу сильного влияния паразитных параметров транзистора (проходной ёмкости, индуктивности общего вывода и др.) в схеме неизбежно присутствуют оба вида обратной связи.

Проектируемый АГ предлагается выполнять по схеме с параллельной обратной связью, изображенной на рисунке 1, где УМ - усилитель мощности, НО - направленный ответвитель, Ф - фильтр, ЛЗ - линия задержки.

Отдельные узлы генератора, отвечающие за различные характеристики, при проектировании представляются в виде самостоятельных устройств, работающих в тракте с определенным волновым сопротивлением (обычно равным 50 Ом). На практике такое представление позволяет проектировать эти узлы отдельно друг от друга и отлаживать их с помощью стандартной измерительной аппаратуры. При проектировании мощных АГ такой подход позволяет быстро и гарантированно получить хороший результат. Также эта схема по сравнению со стандартными трёхточечными схемами позволяет существенно уменьшить отрицательное влияние инерционности транзистора на характеристики АГ.

Рассмотрим, какие узлы АГ отвечают за те или иные его характеристики:

УМ определяет энергетические характеристики АГ, такие как выходная мощность и КПД;

фильтр в значительной степени определяет стабильность частоты АГ;

коэффициент ответвления направленного ответвителя подбирается так, чтобы баланс амплитуд выполнялся на требуемом уровне выходной мощности Pвых;

линия задержки подбирается таким образом, чтобы баланс фаз выполнялся на требуемой частоте.

Порядок проектирования узлов АГ

Для работы АГ требуется выполнение условий баланса амплитуд и фаз. Так как выполнение этих условий осуществляется подбором коэффициента ответвления НО (баланс амплитуд) и фазового набега в ЛЗ (баланс фаз), то их проектирование выполняется после расчета УМ и фильтра.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...