Global Informatics
Сейчас при проектировании СВЧ устройств широко пользуются средствами компьютерного моделирования. Компьютерное моделирование дает разработчику возможность на этапе проектирования учесть существенно больше эффектов по сравнению с простым инженерным расчетом и поэтому позволяет получить более близкий к практике результат (более адекватно оценить рабочие параметры проектируемого устройства).
Успех проектирования определяется не только заложенными в программе методами расчета электрических цепей, но и наличием в ней моделей элементов СВЧ устройств (транзисторов, диодов, R L C- элементов, отрезков линий передачи и их неоднородностей).
При проектировании полупроводниковых усилителей, автогенераторов, умножителей частоты и других нелинейных устройств важно располагать адекватной компьютерной моделью используемого нелинейного элемента (транзистора, диода и пр.). Обычно фирмы производители полупроводниковых приборов предлагают такие модели своих изделий.
Для каждого типа полупроводниковых элементов существует множество различных типов моделей, различающихся количеством учитываемых физических эффектов, а, следовательно, областью применения и степенью адекватности. По этой причине нужно иметь четкое представление об используемой модели, чтобы корректно применять ее в своих расчетах.
Современные программы располагают большим набором библиотек электронных компонентов. Но случается и так, что нужного элемента в библиотеке нет. Тогда модель элемента приходиться формировать вручную, внося параметры, предоставляемые производителем, в имеющуюся в программе базовую модель элемента. Именно такой случай будет рассмотрен нами ниже.
Формирование компьютерной модели транзистора.
При проектировании усилителя в курсовом проекте предлагается использовать транзисторы фирмы Excelics
После выбора типа транзистора, необходимо создать его компьютерную модель. Модель включает себя нелинейную модель бескорпусного транзистора (кристалла) и эквивалентную схему, отражающую паразитные параметры корпуса. Схема модели изображена на рисунке Х, а номиналы элементов эквивалентной схемы для различных типов корпусов сведены в таблицу .
Рис. Х Схема электрической модели транзистора.
Таблица . Параметры эквивалентной схемы для различных корпусов.
Параметр |
Тип корпуса | |||
70 |
100P |
180F |
CP083 | |
CP1, пФ |
0,038 |
0,05 |
0,78 |
0,52 |
CP2, пФ |
0,13 |
0,2 |
0,57 |
0 |
LP1, нГн |
0,25 |
0,5 |
0,61 |
0,56 |
RP, Ом |
0,7 |
0,8 |
0 |
0 |
CP3, пФ |
0,006 |
0 |
0 |
0 |
CP4, пФ |
0 |
0 |
0 |
0 |
LPG, нГн |
0,3 |
0,14 |
0,34 |
0,06 |
LPD, нГн |
0,2 |
0,1 |
0,2 |
0,2 |
LPS, нГн |
0,028 |
0 |
0,017 |
0,018 |
LP2, нГн |
0,065 |
0,03 |
0 |
0 |
Статья в тему
Схема дистанционного акустического светорегулятора
В
данной работе предлагается схема регулятора, который позволяет дистанционно при
помощи акустических звуков управлять нагрузками, например, светильниками,
двигателями и т.д. Исследования схемы позволит управлять нагрузками плавно, что
увеличит срок службы нагрузки. В будущем, собрав ...