Расчет тонкопленочных резисторов

для R3: ℓм = 3· (907.5 +242)=3448.5 мкм.

Определим полную длину резистивной пленки:

ℓполн. = ℓм + 2e,

где e - размер перекрытия контактной площадкой резистивной пленки выбирается из технологических ограничений (е ≥ 200).

для R2: ℓполн. = 1555.75 + 2*200= 1955.75 мкм,

для R3: ℓполн. = 3448.5 + 2*200= 3848.5 мкм.

Рассчитаем габаритную площадь Sr, занимаемую меандром.

Sr=AB0.

для R2: Sr = 980·532.875=522217.5 мкм2 ≈ 0,00522175 см2

для R3: Sr = 1452·907.5=1317690 мкм2 ≈ 0,0131769 см2

Определим площадь SRi резистивной пленки:

Ri = ℓполн. bрасч.

для R1: SR1 = 1539.6·308=474196.8 мкм2 ≈ 0,004741968 см2

для R2: SR2 = 1955.75·245=479158.75 мкм2 ≈ 0,0047915875 см2

для R3: SR3 = 3848.5·242=931337 мкм2 ≈ 0,00931337 см2

Определим мощность рассеяния PRi резистором:

,

где - удельная мощность рассеяния материала резистивной пленки, значение которой берется из табл. 4.2.

Для R1:

Для R2:

Для R3:

Определим коэффициент КЗ запаса по мощности:

Для R1:

Для R2:

Для R3:

Для всех резисторов , следовательно, все резисторы удовлетворяют исходным требованиям минимально допустимой мощности рассеяния.

Определим общую площадь резисторов ИМС:

Общая площадь SRIрезисторов, расположенных на подложке ИМС, рассчитывается по формуле:

где I - количество резисторов на подложке.

На подложке расположены резисторы R1, R2 и R3

После произведенных расчетов резисторы, расположенные на подложке ИМС, изображены на рис. 3.1.2 (масштаб 20:1):

Рис.3.1.2

Статья в тему

Динамический расчет системы автоматического управления
Система автоматического управления (далее по тексту САУ, или «система») предназначена для линейного перемещения горизонтального стола применительно к станкам фрезерной или координатно-расточной групп. Состав системы Блок-схема системы автоматического управления приведена на рис. 1, а к ...