Диффузионные резиcторы

.

Для определения глубины залегания эмиттерного p-n-перехода

.

Это начальное значение. При решении методом итераций

.

Уточненное значение глубины залегания эмиттерного p-n-перехода будет

.

.5 Построим распределение

Рисунок 4 - Расчетные профили распределения примеси в n+-p-n-структуре, полученные двойной последовательной диффузией

Заключение

Обычно в качестве диффузионных резисторов используют базовый или эмиттерный слой планарной транзисторной структуры. Базовые диффузионные резисторы - высокоомные (концентрация основных носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере), а эмиттерные - низкоомные. [1]

Температурный коэффициент сопротивления диффузионного резистора зависит от концентрации примесей в использованном диффузионном слое. Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов. [2]

Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора (рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности ВАХ. [3]

Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы.

Высокий ТКС диффузионных резисторов обусловлен температурной зависимостью концентраций примеси, что, в свою очередь (при полной ионизации примеси), определяется изменением подвижности носителя заряда от температуры; TKJC зависит от изменения концентрации примесей тем больше, чем выше сопротивление слоя.

Таким образом, все диффузионные резисторы изготовляют на диффузионных слоях П-, р-, п-, р-структуры в едином технологическом процессе.

Благодаря наличию обратносмещенного перехода диффузионный резистор имеет распределенную емкость.

Вследствие малого поперечного сечения диффузионного резистора, ток, протекающий через него, ограничен максимальным током.

Статья в тему

Электромеханическая следящая система с потенциометрическим измерительным устройством
Пояснительная записка содержит 7 разделов, в которых описывается последовательность исследования системы на устойчивость, выбор и определение параметров корректирующего устройства, а также нахождение необходимых критериев устойчивости. Рисунок 1 - Принципиальная схема САУ В данной курсовой работ ...