Диффузионные резиcторы

.

Для определения глубины залегания эмиттерного p-n-перехода

.

Это начальное значение. При решении методом итераций

.

Уточненное значение глубины залегания эмиттерного p-n-перехода будет

.

.5 Построим распределение

Рисунок 4 - Расчетные профили распределения примеси в n+-p-n-структуре, полученные двойной последовательной диффузией

Заключение

Обычно в качестве диффузионных резисторов используют базовый или эмиттерный слой планарной транзисторной структуры. Базовые диффузионные резисторы - высокоомные (концентрация основных носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере), а эмиттерные - низкоомные. [1]

Температурный коэффициент сопротивления диффузионного резистора зависит от концентрации примесей в использованном диффузионном слое. Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов. [2]

Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора (рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности ВАХ. [3]

Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы.

Высокий ТКС диффузионных резисторов обусловлен температурной зависимостью концентраций примеси, что, в свою очередь (при полной ионизации примеси), определяется изменением подвижности носителя заряда от температуры; TKJC зависит от изменения концентрации примесей тем больше, чем выше сопротивление слоя.

Таким образом, все диффузионные резисторы изготовляют на диффузионных слоях П-, р-, п-, р-структуры в едином технологическом процессе.

Благодаря наличию обратносмещенного перехода диффузионный резистор имеет распределенную емкость.

Вследствие малого поперечного сечения диффузионного резистора, ток, протекающий через него, ограничен максимальным током.

Статья в тему

Электромеханический следящий привод робота
Разработать электромеханический следящий привод «плечевой» степени подвижности двухзвенного плоского манипулятора робота, кинематическая схема которого изображена на рис. 1. Рис 1. Расчётная кинематическая схема манипуляционного механизма. Основные технические требова ...