Global Informatics
а) Дисперсия
В одномодовых волокнах, присутствует только хроматическая дисперсия и общее выражение упрощается:
tрез=|tхр|, где
Здесь:
tмат=Dl×М(l) - материальная дисперсия,
где Dl - ширина спектральной линии источника излучения (для полупроводникового лазера составляет величину порядка 2 нм), М(l) - удельная материальная дисперсия, l - длина трассы;
tвв=Dl×B(l) - волноводная дисперсия,
В(l) - удельная волноводная дисперсия;
tпр=Dl×П(l) - профильная дисперсия,
где П(l) - удельная профильная дисперсия.
Таким образом, можно записать:
tрез=|Dl×М(l)+Dl×B(l)+Dl×П(l)|=|Dl×(М(l)+В(l)+П(l))|.
С увеличением длины линии дисперсия возрастёт, а полоса пропускания уменьшится. Это явление учитывается при определении длины регенерационного участка.
Известно, что
М(l)= -18 (пс/нм×км)
В(l)=12 (пс/нм×км)
П(l)=5,5 (пс/нм×км)
tрез=|Dl×(-18+12+5,5)|=|2×(-0,5)|=1 (пс/км).
Б) Потери. Коэффициент затухания.
В общем случае коэффициент затухания ОВ определяется следующими составляющими:
aобщ=aсоб+aкаб, где
aсоб=aпогл+aрасс+aприм,
где, затухание, обусловленное поглощением:
В эту формулу длина волны l подставляется в километрах. Тогда результат получится в дБ/км. Величина tgd учитывает чистоту кварца.
Затухание, обусловленное рассеянием:
Здесь:
k = 1,38×10-23 - постоянная Больцмана,
Т = 1500 К - температура кристаллизации кварца,
À = 8,1×10-11 м/Н - коэффициент сжимаемости кварца.
Таким образом,
Затуханием, обусловленным влиянием примесей - aприм, пренебрегаем.
Имеем:
aсоб=aпогл+aрасс=0,02591+0,12144 = 0,14735 (дБ/км),
aобщ=aсоб+aкаб=0,14735+0,5=0,64735 (дБ/км).
Статья в тему
Трасса прокладки волоконно-оптической линии передачи между пунктами Орел-Пенза
В
современном информационном мире каждые пять лет объём передаваемой информации
увеличивается вдвое, соответственно, встаёт задача передачи большого количества
информации с максимальной скоростью и высокой степенью достоверности на большие
расстояния и её обработка.
Ведущая
р ...