Расчёт напряжений питания Е, потребляемой мощности Р0, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк
Расчет производится для ВК1 с учетом исходных данных для мостовой схемы усилителя мощности:
|
Uнm1= Uнm2=0,5∙Uнm=0,5∙19,5=9,75 |
(2.1) |
|
Рнm1= Рнm1=0,5∙Рн=0,5∙91=45,5 |
(2.2) |
|
Iнm1= Iнm2= Iнm=9,33 |
(2.3) |
|
Rн1= Rн2=0,5∙ Rн=0,5∙2,09=1,045 |
(2.4) |
Расчет для ВК2 производится аналогично.
Напряжения питания выходного каскада выбирают из условия
|
Е= Uнm+∆U |
(2.5) |
где DU равно сумме минимального напряжения на источнике тока Iо (1-2В) и напряжений Uбэ транзисторов. Типовые значения DU=(3¸5)В и должны уточняться для каждой схемы ВК.
Выбираем ∆U=5
|
Е= Uнm+∆U=9,75+5=14,75 (В)(2.6) |
На рис.2.1 построены линии нагрузки выходных (оконечных) транзисторов. Нумерация транзисторов дана для рис. 2.1.
Рис. 2.1 - Линии нагрузки выходных транзисторов
Рассчитаем энергетические параметры усилителя класса АВ:
Среднее значение потребляемого тока:
|
|
(2.7) |
Потребляемая мощность:
|
Р0=2∙Е∙Iкср=2∙14,75∙2,97=87,611 (Вт) |
(2.8)) |
Выходная мощность (на нагрузке):
|
|
(2.9) |
(Вт) Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных (оконечных) транзисторов:
|
Рк= 0,5∙(Ро-Рн)=0,5∙(87,611-45,484)=21,064 (Вт) |
(2.10) |
Коэффициент полезного действия:
|
|
(2.11) Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных транзисторов, имеет максимум:
|
|
(Вт)(2.12) |
При |
(B)(2.13) 
Рис. 2.2 - Графики зависимостей Po(Uн), Pн(Uн), Pк(Uн)
Рис. 2.3 - График зависимости КПД(Uнm)
Статья в тему
Коммуникация как фактор развития современного общества проблемы и перспективы
Современный
мир труден и многообразен, динамичен и пронизан противоборствующими
тенденциями. Но при всей противоречивости он взаимозависим и во многом
целостен. Внутри современного общества происходит динамичное развитие
общественных отношений, которое сопровождается углублением отно ...