Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов

Выходные транзисторы выбираем по предельно-допустимым параметрам:

Выбираем комплементарную пару n-p-n и p-n-p транзисторов , имеющих близкие параметры: VT4: КТ819A (n-p-n) и VT5: КТ818А (p-n-p) [3].

Таблица 3.1 - Параметры транзисторов

Определим требуемое общее тепловое сопротивление:

где Тс=(35 ¸ 40) 0С - температура окружающей среды,

DТ=(5¸10) 0С - температурный запас.

Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих:

где RТК-Т - тепловое сопротивление корпус транзистора - теплоотвод; RТТ-С - тепловое сопротивление теплоотвод - окружающая среда; RТП-К - тепловое сопротивление коллекторный переход - корпус; Величина RТК-Т определяется качеством теплового контакта корпус - теплоотвод. При отсутствии электрической изоляции между корпусом и радиатором можно принять RТК-Т= (0¸0,2) град/Вт. Если применяется электрическая изоляция, когда на общий радиатор устанавливаются два или более транзисторов, имеющих разные потенциалы коллекторов (корпусов), или по конструктивным требованиям на теплоотводе нулевой потенциал, то принимают RТК-Т=(0,2¸0,5) град/Вт. Выбираем RТК-Т =0,2 град/Вт. Тепловое сопротивления теплоотвод - окружающая среда RТТ-С является характеристикой теплоотвода (радиатора), которая позволяет определить его минимально-допустимую площадь Sт.

где Кт - коэффициент, зависящий от условий теплообмена радиатора с окружающей средой. Для черненого алюминиевого ребристого теплоотвода без принудительной вентиляции на основе эмпирических данных можно принять.

Из (3.5) выражаем:

И рассчитываем искомую величину:

Т.к. транзисторов 2, то площадь теплоотвода необходимо увеличить в 2 раза:

Статья в тему

Устройства контроля прозрачности жидкости
На сегодняшний день качество выпускаемой продукции выступает как важнейшая характеристика производства, которая определяет эффективность технологии и оборудования, структуру и организацию управления. Создание качества продукции осуществляется на стадиях всего производственного пр ...