Global Informatics
Рисунок 2.6 - Схема эмиттерной термостабилизации
Выбираем падение напряжения на резисторе из условия
(пусть
), также Uбэ0 примем за 0,7(В) затем производим следующий расчёт:
импульсный усилитель транзистор эмиттерный
;(2.2.25)
;(2.2.26)
;(2.2.27)
;(2.2.28)
;(2.2.29)
;(2.2.30)
;(2.2.31)
.(2.2.32)
В результате расчетов получим:
;
;
;
;
;
;
;
.
Статья в тему
Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур
Целью
производственной практики является приобретение профессиональных навыков,
закрепление и углубление теоретических навыков в области проектирования и
технологии изготовления РЭС, применение полученных знаний при решении
конкретных задач проектирования РЭС и технологических процес ...