Global Informatics
мощность резистивный дроссельный каскад
Существует несколько видов коррекции, в данном случае будем использовать эмиттерную коррекцию.
Принципиальная схема каскада с эмиттерной коррекцией приведена на рис. 7.1(а), эквивалентная схема по переменному току - на рисунке 7.1(б), где - элементы коррекции. При отсутствии реактивности нагрузки эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором, увеличивая амплитуду сигнала на переходе база-эмиттер с ростом частоты усиливаемого сигнала.
а) б)
Рисунок 7.1 - Принципиальная схема каскада с эмиттерной коррекцией (а) и эквивалентная схема по переменному току (б)
Для расчетов примем следующие данные: , так как искажения для выходного каскада приняли равными 0,5 дБ, то
.
) Глубина ООС:
(7.1)
) Корректирующее сопротивление:
(7.2)
) Найдем :
(7.3)
) Найдем :
(7.4)
) Оптимальная постоянная времени эмиттера:
(7.5)
) Корректирующая емкость:
(7.6)
) Верхняя граничная частота:
(7.7)
) Входное сопротивление каскада с эмиттерной коррекцией может быть аппроксимировано параллельной RC-цепью:
(7.8)
(7.9)
(7.10)
(7.11)
(7.12)
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...