Global Informatics
Примем сопротивление коллектора равным сопротивлению нагрузки и рассчитаем эквивалент по переменному току:
Ом 1
Далее рассчитаем ток и напряжение в рабочей точке, исходя из условия что напряжение Uv на выходе составляет 2 В:
А 2
Примем, что напряжение насыщения Un=2В, тогда напряжение рабочей точки составляет:
В 3
Теперь необходимо подыскать транзистор, исходя из условий:
А
Вт
Гц
Нам идеально подходит отечественный транзистор 2Т996Б2 со следующими паспортными данными:
Сопротивление эмиттера найдем по закону Ома для участка цепи, учитывая, что на эмиттере падает напряжение 3В, и через него течет ток коллектора + в
(Hfe) раз меньший ток базы:
Ом 4
Для нахождения значения источника питания воспользуемся законом Кирхгофа:
:=Urk+Uko+Uэ 5
Рисунок 1.1
И так, напряжение на сопротивлении коллектора:
В 6
Тогда напряжение источника будет: В
Рассчитаем сопротивления делителей R1 и R2, полагая, что по ним течет ток в 10 раз больший тока базы. Делается это для того, чтобы значение напряжения смещения изменялось еле заметно в случае изменения тока базы:
А 7
Тогда согласно закону Ома
Ом 8
Ом 9
В итоге имеем следующие выходные вольтамперные характеристики:
Рисунок 1.2
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...