Global Informatics
Схема основанная на базе микроконтроллера более гибкая, чем схема на базе аналоговых элементов. При такой схеме возможны любые настройки работы устройства без значительного пересмотрения устройства схемы.
В таблице 2 указаны основные характеристики микроконтроллера PIC18F452 [7].
Таблица 2 - Основные характеристики микроконтроллера PIC18F452
Параметр |
PIC18F452 |
Тактовая частота |
DC-40МГц |
Память программ (байт) |
32К |
Память программ (команд) |
16384 |
Память данных (байт) |
1536 |
EEPROM память данных (байт) |
256 |
Источников прерываний |
17 |
Порты ввода-вывода |
PORT A, B, C, D, E |
Таймеры |
4 |
Модуль CCP |
2 |
Последовательные интерфейсы |
MSSP, адресуемый USART |
Параллельные интерфейсы |
PSP |
Модуль 10-разрядного АЦП |
8 каналов |
Сопротивление резистора R15, через который проходит ток разряда аккумулятора, рассчитывалось по формуле (1).
R=U/Iразр, (1)
где:- напряжение на аккумуляторе;разр - ток разряда.
Ток разряда 4,5 - вольтового аккумулятора должен быть около 90 мА, следовательно:
,5В/0,09А=50 (Ом)
Из имеющихся в продаже резисторов максимально близким по номинальному сопротивлению являются резисторы с сопротивлением 51 Ом.
Мощность резистора рассчитывается по формуле (2).
P=I2R (2)
.092*51=0,4131Вт
Подходят резисторы мощностью 0,5Вт и выше. Был выбрал резистор CF-50 - 0,5 - 51 Ом +5%.
Остальные резисторы рассчитывались аналогично.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...