Организационная структура Центра 10.1

. Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур НИЧ УО «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» создан в 2004 г.

Научный руководитель: академик НАН Беларуси, доктор технических наук, профессор Достанко Анатолий Павлович.

2 Штатный состав включает 7 человек, в том числе кандидатов технических наук - 3; научных сотрудников - 4.

3 Главные направления исследований:

- проведение научных исследований, измерений и разработок в области опто-, микро- и наноэлектронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур по заказам республиканских и международных (в том числе зарубежных) организаций, учреждений, предприятий и фондов по стандартам и согласованным с заказчиками методикам;

разработка новых и совершенствование имеющихся методов и методик теоретического и экспериментального моделирования, формирования и экспериментального исследования твердотельных опто-, микро- и наноструктур и новых материалов для них;

подготовка учебных и учебно-методических материалов для преподавания курсов по технологии оптики, микро- и наноструктур и технической диагностике технологических сред и твердотельных структур в вузах республики ближнего и дальнего зарубежья;

выполнение и координация фундаментальных и прикладных исследований в области опто-, микро- и наноэлектроники до 2005 года в рамках Межвузовской программы фундаментальных исследований «Наукоемкие технологии»; Государственной научно-технической программы «Приборостроение» по разделу «Техническая диагностика»; Государственной программы ориентированных фундаментальных исследований «Материал», с 2006 года ГППИ «Материалы в технике», ГПОФИ «Высокоэнергетические, ядерные и радиационные технологии», ГКПНИ «Кристаллические и молекулярные структуры», ГКПНИ «Фотоника», ГКПНИ «Инфотех», ГКПНИ «Современные технологии в медицине», ГКПНИ «Химические реагенты и материалы», ГКПНИ «Нанотех».

анализ элементного состава поверхности и локальных областей тонких пленок и слоев, исследование дефектообразования;

прецизионные микроскопические измерения линейных размеров в микронном и субмикронном диапазонах;

анализ молекулярного состава, толщин, оптических характеристик (коэффициент пропускания и поглощения) оптически прозрачных пленок, зеркал в видимом и ИК диапазонах.

Статья в тему

Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функци ...