Global Informatics
21б= h21э/(1+ h21э)
;
где h21э-коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ.
Определяем амплитуду первой гармоники тока эмиттера
Э1m=IK1m/ h21б(fp)
;
Находим амплитуду импульса тока эмиттера
Э u max= IЭ1m/α1(Э)
;
Рассчитываем амплитудное значение напряжения возбуждения на базе транзистора, необходимое для обеспечения импульса тока эмиттера IЭ u max без учета влияния частоты
БЭm= IЭ u max/(1-cosθэ)S0
;
где S0-крутизна характеристики тока коллектора.
Определяем напряжение смещения на базе, обеспечивающее угол отсечки тока эмиттера,БЭсм=Ес+ UБЭmcosθэ
;
где Ес - напряжение среза.
В случаях, когда значение напряжения среза в справочниках не приводится, его можно найти по идеализированным (спрямленным) характеристикам транзистора или ориентировочно принять равным Ес=(0,1…0,2)В (полярность Ес зависит от типа транзистора: для транзисторов p-n-p на базу подается отрицательное, а для транзисторов n-p-n положительное напряжение смещения).
Находим коэффициент обратной связи
Ксв= UБЭm/Umk
;
Для выполнения условия баланса амплитуд необходимо выполнить условие
Ксв≥ Ксв min=1/S0Rрез
;
Рассчитываем сопротивление резисторов R1и R2. Для этого задаемся током делителя, проходящим через эти резисторы
Д≈5IБпост
;
где IБпост - постоянная составляющая тока базы выбранного транзистора. Величину IБпост можно найти по формулеБпост=IKпост/h21Э
;
(h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора выбранного типа в схеме с общим эмиттером).
Зная IД, находим R2 по формуле
2= UБЭсм/ IД
;
Поскольку ток делителя на много превышает ток базы транзистора, последний не изменит существенно ток, протекающий через резистор R1. поэтому
1=(Ek-UБЭсм)/IД
;
Мощность, рассеиваемая на резисторах R1 и R2, соответственно равна PR1=I2ДR1; PR2=I2ДR2. С учетом этих значений выбираем стандартный тип резисторов R1 и R2 по шкале номинальных сопротивлений резисторов.
Находим емкость разделительного конденсатора С1 С1≈(10…20) Сэ, где Сэ - емкость эмитерного перехода транзистора.
С1 = 15·70 Пф = 1 нФ
Элементы цепочки термостабилизации R3C2 определяются так же, как и при расчете избирательного усилителя на транзисторе
R3≈UЭ/IЭпост
;
где UЭ падение напряжения на резисторе эмиттерной стабилизации (порядка (0,7…1,5)В); IЭпост - постоянный ток эмиттера (IЭпост≈IКпост).
Емкость конденсатора С2 равна
С2≥(15…30)103/fpR3
;
Где С2 выражается в микрофарадах; fp - мегагерцах; R3 - в килоомах
Стандартные значения R3 и С2 выбираются по шкале нормальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов
. Определяем параметры контура.
Добротность нагруженного контура подсчитывается по формуле
Q'=Q(1-ηк)
;
где ηк - КПД контура.
Находим минимальную общую емкость контура Ск min по приближенной формуле
Ск min≈(1…2)λр
;
λр - рабочая длина волны колебаний (λр=с/fp, где с - скорость света), м; Ск min выражается в пикофарадах).
В общую емкость контура Ск min входят емкость конденсатора С3 (рис. 9.2 а) и выносимые (паразитные) емкости: выходная емкость транзистора, емкость катушки контура, емкость монтажа и др. Общая величина вносимой емкости Свн обычно составляет десятки пикофарад. Следовательно, емкость конденсатора контура С3 мажет быть найдена по формуле
С3≈ Ск min-Свн
;
Вполне понятно, что формула позволяет установить лишь ориентировочное значение емкости С3; более точное значение определяется в процессе настройки схемы.
Рассчитываем общую индуктивность контура Lk
Статья в тему
Система регулирования печи
автоматизация печь
микропроцессорный контроллер
Объектом автоматизации является печь для сжигания
органических отходов. Как видно из рисунка 1, в топку печи через регулирующие
органы подаются отходы, воздух и газ. Причем наносить управляющие воздействия
можно при помощи регулирующих о ...