Расчет аттенюатора

Схема аттенюатора на основе одного трехдецибельного моста представлена на рисунке 6. Вход и выход являются взаимно развязанными плечами. Мощность, поступающая на вход аттенюатора, делится поровну между плечами моста, к которым подключены p-i-n - диоды. Падающая мощность частично поглощается диодами, частично отражается. Отраженные сигналы складываются синфазно на выходе и противофазно на входе. Аттенюатор оказывается согласованным с генератором при любых сопротивлениях диодов.

четырехканальный реограф транзисторный

Рисунок 6 - Схема аттенюатора

В схеме будем использовать p-i-n - диод 2А503А, имеющий подходящие электрические параметры и конструктивное исполнение. Внешний вид диода показан на рисунке 7.

Рисунок 7 - Внешний вид диода АА721А

Необходимым требованиям отвечает двухшлейфный направленный ответвитель, представляющий собой два отрезка линии передачи, соединенных между собой двумя шлейфами, длина которых равна четверти длины волны в линии (рисунок 8,9).

Рисунок 8 - Топология двухшлейфного направленного ответвителя

Рисунок 9 - Топология двухшлейфного направленного ответвителя

В данном ответвителе

Ом,

а Ом.

При Zв = 35,35 Ом, ширина микрополосковой линии W = 2,13 мм, длина волны в линии

мм,

мм.

При Zв = 50 Ом, ширина микрополосковой линии W = 1,01 мм, длина волны в линии

мм,

мм.

Требуется рассчитать блокировочный дроссель L2 и блокировочную емкость С1, а также разделительные емкости С2 и С3.

,

где .

нГн.

Выберем L2 = 22нГн.

Емкости выбираем из условия:

;

Ф.

Выберем Сбл = 4,7 пФ.

Разделительные емкости найдем из условия:

Ом.

Тогда

Ф.

Выберем Ср = 47 пФ.

Заключение

В данной курсовой работе был рассмотрен реограф 4-РГ-1. Были отображены его структурная и принципиальная схемы, внешний вид, технические данные. Подробно описан принцип работы прибора, а так же принцип измерения и построения реограммы.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...