Виды построения схем усилителей

Напряжение смещения между базами зависит от сопротивления участка коллектор-эмиттер транзистора VT6, а оно , в свою очередь, зависит от положения движка подстрочного резистора- им и устанавливают нужное сопротивление.

В выходном каскаде, как и в фазоинверсном, применены транзисторы разной структуры(VT8, VT10). Выходной каскад соединен с дифференциальным каскадом через цепочку R5,C4,R4,C3. Это ООС, снижающая нелинейные искажения и улучшающая частотную характеристику усилителя мощности. Для предотвращения возможного самовозбуждения усилителя на высоких частотах резистор нагрузки дифференциального каскада зашунтирован конденсатором С2.

Далее рассмотрим еще одну схему:

Рис. 5

На рис. 5 представлена схема усилителя предназначенного для работы с сигналами до 10мВ и в полосе частот от 10Гц до 30кГц. Для уменьшения собственных шумов в двух первых каскадах применены высокочастотные транзисторы в режиме малых коллекторных токов. Ток VT1 равен 40мкА, а ток VT2-100мкА. Включение в третьем каскаде транзисторов разных типов проводимости упростило межкаскадное соединение и улучшило температурную стабильность. Включение в эмиттер VT3 стабилитрона позволило увеличивать напряжение в коллекторе транзистора VT2 и тем самым увеличить коэффициент усиления усилителя. Напряжение пробоя стабилитрона определяет динамический диапазон входного сигнала. Коэффициент усиления может составлять 5 104.В полосе пропускания уровень собственных шумов, приведенный ко входу, лежит в пределах от 1.5 до 2.5 мкВ.

Схема не нуждается в пояснении на структурном уровне.

Далее приведена ещё одна схема:

Рис.6

Усилитель состоит из входного и выходного каскадов, выполненных соответственно на транзисторах VT1, VT2 (оба включены по схеме ОЭ). Улучшение АЧХ и ФЧХ усилителя без ООС достигается гальванической связью между каскадами. Для стабилизации рабочей точки транзистора VT1 смещение на его базу подается через резистор R7 с эмиттера транзистора VT2. Усилитель охвачен ООС (цепь R6, С4), подаваемой с коллектора VT2 на эмиттер VT1. Фильтр R2 С3 уменьшает влияние пульсаций источника питания.

Статья в тему

Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление пленочного резистора определяется па формуле R=ρ0l/b= ρ0Kф (1.1) где ρ0 - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки; l, b - длина и ши ...