Global Informatics
пр(20%) = - 4 - 130,61 - 6 + 26 + 26 = - 88,61 дБ.
На рисунках 11.1 и 11.2 приведены диаграммы уровней сигналов на пролетах.
Статья в тему
Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Одним
из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем.
Развитие
вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий
срок создать высоко интегрированные функци ...