Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Проектирование блока питания

Блок питания содержит 2 канала: источники и питания ОУ.

Выберем выпрямитель, выполненный на блоках диодов, т.е. мостах (рисунок 12.1).

Рисунок 12.1. Схема выпрямителя

Стабилизаторы рассчитываются на выходное напряжение и ток. Стабилизаторы могут быть выполнены на интегральных микросхемах. Выбираем стабилизаторы по [ 2 ] с параметрами:

Таблица12.1:

КР1179ЕН15

КР1180ЕН15

Uвых = -15 0,3 ВUвых = 15 0,3 В

Iп ≤ 3 мА

Iп 8 мА

Uмин=2.5 В

Uмин = 2.5 В

Uвх ≤ | - 35| В

Uвх 35В

Iвых = 1,5 А

Iвых = 1,5 А

Входное (выпрямленное) напряжение выбирают из условия:

Uв = Uвх = (Uвых + Uмин) ∙ (1 + Кн + Кп),

где Кн = 0,1 - коэффициент нестабильности сети, Кп = 0,1 - коэффициент пульсаций, Uмин - минимальное напряжение на стабилизаторе.

Uв = (15 + 2,5) ∙ (1 + 0,1 + 0,1) = 21 В.

Блок питания содержит 2 канала: для каждого канала стабилизатор свой.

Рисунок 12.2. Схемы включения интегрального стабилизаторов КР1180.

Рисунок 12.3. Схемы включения интегрального стабилизаторов КР1179.

Выбираем по справочнику [ 3 ]танталовые оксидно-полупрводниковые конденсаторы :

С7: К53 - 1А - 40 В - 0,33 мкФ ± 10 %,

С8: К53 - 1А - 40 В - 1 мкФ ± 10 %.

Выбираем конденсаторы :

С9 - алюминиевый оксидно-полупрводниковый:

К50 - 16 - 25 В - 30 мкФ ± 20 %,

С10 - с неорганическим диэлектриком:

К10 - 42 - 50 В - 10 пФ ± 10 %,

С11 - танталовый оксидно-полупрводниковый:

К53 - 1А - 40 В - 10 мкФ ± 10 %.

Расчет трансформатора и выпрямителя.

Выпрямители могут быть выполнены как на дискретных диодах, так и на блоках диодов (мостах). Требования к диодам:

где Uпр = 1 В - прямое напряжение на диодах

По каналам:

Канал U:

мА,

В.

Таблица 12.2: Предельные электрические параметры диодов [3]

На дискретных диодах КД208А

Uобрмакс = 100 В

Iпрср = 1,5 А

Действующие значения напряжений и токов вторичных обмоток трансформатора:

,

.

Перейти на страницу: 1 2

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2025 - Все права защищены!