Расчет элементов усилителя мощности

Резисторы, включенные параллельно эмиттерным переходам предоконечных транзисторов, предотвращают режим обрыва базы выходных транзисторов при запирании предоконечных транзисторов и выбираются в пределах 100-500 Ом.

R3=R4=470 (Ом)

Из ряда Е24 Выбираем резисторы R3,R4 [4]:

R3,R4: МЛТ- 0.5 - 470 Ом ±5%.

Определим входной ток выходных транзисторов VT4-5

Если n-p-n и p-n-p транзисторы имеют различные параметры, то расчёт ведётся по наименьшему значению коэффициента β. Для увеличения коэффициента усиления по мощности (по току) применяют составные транзисторы. Рассчитаем какие должны быть требования к предоконечным транзисторам по предельно-допустимым параметрам:

Выбираем n-p-n и p-n-p транзисторы, имеющие близкие параметры: VT2: КТ972А (n-p-n) и VT3: КТ973А (p-n-p) [2].

Таблица 4.1 - Параметры транзисторов

После выбора предоконечных транзисторов определяем входной ток усилителя мощности:

где R - сопротивление резистора, включенного параллельно эмиттерному переходу.

Т.к. Iвхm < 5мА усиление по току в данном случае можно считать достаточным, это значение так же соответствует типовому значению выходного тока ОУ.

Напряжение Uкэ транзистора VT1 (рис. 4.1) устанавливаем равным:

Статья в тему

Основные характеристики датчиков движения
Датчик движения - это пироэлектрический детектор, служащий приемником волн инфракрасного диапазона. Из курса физики мы знаем, что любое тело, нагретое до определенной температуры, начинает излучать ИК волны. То есть, принцип работы датчика движения основан на регистрации инфракрасных ...