Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Расчет элементов усилителя мощности

Рис. 4.2 - Схема источника тока

Выбираем транзистор VT1’(рис.4.2) по предельным параметрам:

Uкэ > 2Е = 2·14,75=29,5 (В)(4.16)

Iк > Iо = 1 (мА)

(4.17)

Рк > E×Io =14,75· 1· 10-3 =15 (мВт)

(4.17)

Выбираем транзистор VT1’: КТ214В-1 (p-n-p) [2].

Таблица 4.3 - Параметры транзисторов

Uкэmax, (В)

Iкmax, (мА)

Pкmax, м(Вт)

b = h21э

КТ214В-1

60

50

50

40

Выбираем ток делителя:

(мА)

(4.19)

и рассчитываем резисторы:

(Ом)(4.20)

(Ом)

(4.21)

(Ом)

(4.22)

Из ряда Е24 Выбираем резисторы R1’,R2’,R3’ [4]:’: МЛТ- 0.5 - 16 кОм ±5%.’: МЛТ- 0.5 - 43 кОм ±5%.’: МЛТ- 0.5 - 3,3 кОм ±5%.

Расчет второго источника тока на n-p-n транзисторе не отличается от выше представленного.

Выбираем транзистор VT2’: КТ215В-1 (n-p-n) [2].

Таблица 4.4 - Параметры транзисторов

Uкэmax, (В)

Iкmax, (мА)

Pкmax, м(Вт)

b = h21э

КТ215В-1

60

50

50

40

Выбираем ток делителя:

(мА)

(4.23)

(Ом)

(4.24)

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Статья в тему

Ультразвуковой вискозиметр
Вязкость - свойство жидкостей оказывать сопротивление перемещению одного слоя относительно другого. Количественно вязкость характеризуется значением динамической вязкости или коэффициентом внутреннего трения. Характерной особенностью этого вида трения является то, что оно наблюдае ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2025 - Все права защищены!