Синтез корректирующих звеньев контура скорости

Структурная схема контура положения приведена на рис.11

Рис.11 Структурная схема контура положения

.5.1 Строим ЛАЧХ исходного контура Lu3(щ).

Передаточная функция исходного контура имеет вид:

.

Передаточная функция корректирующего звена равна единице Wк3(р)=1,

Тогда

Добротность для контура принимаем

.

Т.к. добротность исходного контура выше требуемой, то вводим усилитель с коэффициентом уменьшения:

.

lg10,26 =20 дБ.

Сопрягающие частоты ЛАЧХ исходного контура:

.5.2 Строим желаемую ЛАЧХ Lж3(щ)

Исходные данные:

- добротность контура Кж =113[c-1];

- время переходного процесса tппк3=0,05c-1;

- перерегулирование у =25%.

Низкочастотная область - на оси частот при щ = 1 откладываем точку -20 дБ/дек и через нее проводим горизонтальную прямую. Среднечастотная область - частота среза:

Через точку щс = 188,4 [c-1] проводим прямую под наклоном -20 дБ/дек до значений L(щ) = ±11[дБ/дек]; щж2 = 64 c-1; щж3 = 500 c-1. Из точки ЛАЧХ на частоте проводится прямая под наклоном 0 дБ/дек до пересечения с низкочастотной частью ЛАЧХ. При этом определяется первая сопрягающая частота . Высокочастотная область - на частоте щж3 проводим прямую под наклоном -40 дБ/дек до граничной частоты щг =5 щж3 =5 *500=2500 c-1, далее наклоны желаемой ЛАЧХ равны наклонам исходной системы. ПФ желаемого контура:

.5.3 Определение ПФ корректирующего звена

ЛАЧХ корректирующего звена определяется как:

.

В результате по полученной ЛАЧХ Lк3(щ) записываем ПФ корректирующего звена:

.

Так как полученная передаточная функция не реализуется одним звеном, то разбиваем его на три

По результирующей ЛАЧХ корректирующего звена строится ЛАЧХ составляющих корректирующих звеньев :

Статья в тему

Схемотехническое моделирование усилителя низких частот
  В настоящее время весьма актуальной задачей является техническое перевооружение, быстрейшее создание и повсеместное внедрение принципиально новой радиоэлектронной техники. Интегральные микросхемы в настоящее время являются одним из самых массовых изделий современной микроэлектроники. Прим ...